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Puce MT29RZ4B4DZZNGPL-18WE.4 d'IC de mémoire de 512MB RDA SDRAM

Détails de produit

Nom de marque: Micron Technology

Certification: ROHS

Numéro de modèle: MT29RZ4B4DZZNGPL-18WE.4

Conditions de paiement et d'expédition

Quantité de commande min: 1pcs

Prix: Negotiated

Détails d'emballage: Tray/REEL

Délai de livraison: 3-15days

Courant: 8000

Conditions de paiement: L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram

Capacité d'approvisionnement: 1000PCS

Obtenez le meilleur prix
Point culminant:

puce d'IC de la mémoire 2.5V

,

puce d'IC de la mémoire 400MHz

,

MT29RZ4B4DZZNGPL

Fabricant Product Number:
MT29RZ4B4DZZNGPL-18WE.4
Type de mémoire:
SDRAM DDR
Capacité de la mémoire:
512MB
Vitesse de mémoire:
400 MHz
Tension d'alimentation:
2.5V
Type de colis:
FBGA
Fabricant Product Number:
MT29RZ4B4DZZNGPL-18WE.4
Type de mémoire:
SDRAM DDR
Capacité de la mémoire:
512MB
Vitesse de mémoire:
400 MHz
Tension d'alimentation:
2.5V
Type de colis:
FBGA
Puce MT29RZ4B4DZZNGPL-18WE.4 d'IC de mémoire de 512MB RDA SDRAM

MT29RZ4B4DZZNGPL-18WE.4 - 512 Mo de mémoire SDR

Trouvez des informations ici dans stock.xlsx

 

Introduction:

Le MT29RZ4B4DZZNGPL-18WE.4 est un module DDR SDRAM de 512 Mo conçu pour une utilisation dans une variété d'applications informatiques et de mémoire intensive.et la compatibilitéLe MT29RZ4B4DZZNGPL-18WE.4 offre également une vitesse de transfert de données élevée et une faible consommation d'énergie,le rendant adapté à une utilisation dans les appareils mobiles et autres applications sensibles à l'alimentation.

 

Applications:

Appareils de bureau, ordinateurs portables, appareils mobiles

 

Attributs du produit:

Marque Technologie des microns
Type de mémoire REM DDR SDR
Taille de mémoire 512 Mo
Vitesse de mémoire 400 MHz
Voltage d'alimentation 2.5V
Type de colis Les produits de l'industrie

 

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  1. CT6464Z335 - 512 Mo de mémoire SDR
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  9. HYMD564M646B6-J - 512 Mo de mémoire SDR
  10. MT16HTF6464AY-40EB3 - 512 Mo de mémoire SDR

Puce MT29RZ4B4DZZNGPL-18WE.4 d'IC de mémoire de 512MB RDA SDRAM 0Puce MT29RZ4B4DZZNGPL-18WE.4 d'IC de mémoire de 512MB RDA SDRAM 1Puce MT29RZ4B4DZZNGPL-18WE.4 d'IC de mémoire de 512MB RDA SDRAM 2Puce MT29RZ4B4DZZNGPL-18WE.4 d'IC de mémoire de 512MB RDA SDRAM 3Puce MT29RZ4B4DZZNGPL-18WE.4 d'IC de mémoire de 512MB RDA SDRAM 4

FAQ:

Q1: Quel est le type de mémoire du MT29RZ4B4DZZNGPL-18WE?4?

R: Le MT29RZ4B4DZZNGPL-18WE.4 est un module DDR SDRAM.

Q2: Quelle est la vitesse de mémoire du MT29RZ4B4DZZNGPL-18WE?4?

R: Le MT29RZ4B4DZZNGPL-18WE.4 a une vitesse de mémoire de 400 MHz.

Q3: Quelle est la tension d'alimentation du MT29RZ4B4DZZNGPL-18WE?4?

R: Le MT29RZ4B4DZZNGPL-18WE.4 fonctionne à une tension d'alimentation de 2,5 V.

Q4: Quelle est la capacité de mémoire du MT29RZ4B4DZZNGPL-18WE?4?

R: Le MT29RZ4B4DZZNGPL-18WE.4 a une capacité de mémoire de 512 Mo.

Q5: Quel est le type d'emballage du MT29RZ4B4DZZNGPL-18WE?4?

R: Le MT29RZ4B4DZZNGPL-18WE.4 est livré dans un paquet FBGA.

Q6: Pour quel type d'appareils le MT29RZ4B4DZZNGPL-18WE.4 est-il adapté?

R: Le MT29RZ4B4DZZNGPL-18WE.4 est adapté pour une utilisation sur ordinateurs de bureau, portables, appareils mobiles,et d'autres applications à forte consommation de mémoire nécessitant des performances et une fiabilité élevées, mais ne prenant en charge que les cartes mères plus anciennes prenant en charge la technologie DDR SDRAM.