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Transistors MOSFET ultra-rapides et IGBTs de For Power de conducteur de transistor MOSFET de NCS20074DTBR2G doubles

Détails de produit

Nom de marque: ON Semiconductor

Certification: ROHS

Numéro de modèle: NCS20074DTBR2G

Conditions de paiement et d'expédition

Quantité de commande min: 1pcs

Prix: Negotiated

Détails d'emballage: Tray/REEL

Délai de livraison: 3-15days

Courant: 8000

Conditions de paiement: L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram

Capacité d'approvisionnement: 1000PCS

Obtenez le meilleur prix
Point culminant:

Double conducteur de transistor MOSFET de 1

,

2 mégahertz

,

Double conducteur de transistor MOSFET d'IGBTs

Fabricant Product Number:
NCS20074DTBR2G
Nombre de canaux:
2
Chaîne de tension d'entrée:
±15 V
Chaîne de tension d'alimentation:
4.5V à 18V
Taux de groupe:
0,3 V/μs
Produit de largeur de bande de gain:
1,2 MHz
Fabricant Product Number:
NCS20074DTBR2G
Nombre de canaux:
2
Chaîne de tension d'entrée:
±15 V
Chaîne de tension d'alimentation:
4.5V à 18V
Taux de groupe:
0,3 V/μs
Produit de largeur de bande de gain:
1,2 MHz
Transistors MOSFET ultra-rapides et IGBTs de For Power de conducteur de transistor MOSFET de NCS20074DTBR2G doubles

NCS20074DTBR2G - Pilote MOSFET double haute vitesse pour MOSFET de puissance et IGBT

 

Trouvez des informations ici en stock.xlsx

Introduction:

Le NCS20074DTBR2G est un pilote MOSFET double haute vitesse conçu pour piloter deux MOSFET ou IGBT à canal N dans une configuration en demi-pont.Son temps de montée et de descente rapide (15 ns typique) et sa large plage de tension d'entrée (4,5 V à 18 V) le rendent idéal pour les applications de commutation haute fréquence.

 

Applications:

Convertisseurs DC-DC, Motor Drives, Power Inverters

 

Attributs du produit :

Attributs du produit Caractéristiques
Marque SUR Semi-conducteur
Plage de tension d'alimentation 4.5V à 18V
Courant de sortie 4A crête
Temps de montée/descente 15ns typique
Type d'emballage POSST-8
Température de fonctionnement -40°C à 125°C

 

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  1. NCV8402ASTT1G - Pilote MOSFET double haute vitesse
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Transistors MOSFET ultra-rapides et IGBTs de For Power de conducteur de transistor MOSFET de NCS20074DTBR2G doubles 0Transistors MOSFET ultra-rapides et IGBTs de For Power de conducteur de transistor MOSFET de NCS20074DTBR2G doubles 1Transistors MOSFET ultra-rapides et IGBTs de For Power de conducteur de transistor MOSFET de NCS20074DTBR2G doubles 2

FAQ:

Q1 : Quelle est la tension maximale que le NCS20074DTBR2G peut supporter ?

R : Le NCS20074DTBR2G a une tension d'entrée maximale de 18 V.

 

Q2 : Quel est le courant de sortie du NCS20074DTBR2G ?

R : Le NCS20074DTBR2G peut fournir un courant de sortie de crête de 4 A.

 

Q3 : Quel est le type de boîtier du NCS20074DTBR2G ?

R : Le NCS20074DTBR2G est livré dans un package TSSOP-8.

 

Q4 : Quelles sont les applications courantes du NCS20074DTBR2G ?

R : Le NCS20074DTBR2G est couramment utilisé dans les convertisseurs CC-CC, les entraînements de moteur et les onduleurs.

 

Q5 : Quelle est la plage de température de fonctionnement du NCS20074DTBR2G ?

R : Le NCS20074DTBR2G peut fonctionner à des températures allant de -40 °C à 125 °C.